供应商
| 供应商 | 发货地 | 库存数量 | 交期(天) | 最小订货量 | 1+ | 10+ | 100+ | 1000+ | 10000+ | 购买 |
| 立创 | 8.497 | 7.211 | 5.702 | 4.927 | 4.927 |
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规格参数
| 技术参数 | |
|---|---|
| 负载类型 | MOSFET；IGBT |
| 峰值灌电流 | 600mA |
| 峰值拉电流 | 290mA |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 电源电压 | 10V~20V |
数据手册
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替换型号
| 图片 | 型号 | 品牌 | 分类名称 | 封装 | 描述 | 价格 | 数据手册 |
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DGD2103MS8-13 | DIODES(美台) | 栅极驱动IC | SOIC-8 | 半桥 IGBT MOSFET 灌电流600mA 拉电流290mA | ¥4.1 |
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DGD2104MS8-13 | DIODES(美台) | 栅极驱动IC | SMD | 半桥 IGBT MOSFET 灌电流600mA 拉电流290mA | ¥15.239 |
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