D4G-T和US1G 区别差异-选芯网

参数封装
D4G-T和US1G 区别差异
商品	400V 1A 1V@1A	400V 1A 1V@1A 50ns
型号	D4G-T	US1G
描述	400V 1A 1V@1A	400V 1A 1V@1A 50ns
数据手册	-	-
品牌	DIODES(美台)	LGE(鲁光)
分类	通用二极管	高效率二极管
封装	-	SMA
平均整流电流(Io)	1A	1A
反向恢复时间(trr)		50ns
正向压降(Vf)	1V@1A	1V@1A
直流反向耐压(Vr)	400V	400V