| S9012和S8550 区别差异 | |||
| 商品 | |||
|---|---|---|---|
| 型号 | S9012 | S8550 | |
| 描述 | PNP 25V 500mA | PNP 25V 500mA | |
| 数据手册 | - | - | |
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) | HXY MOSFET(华轩阳电子) | |
| 分类 | 三极管(BJT) | 三极管(BJT) | |
| 参数封装 | |||
| 封装 | SOT-23 | SOT-23 | |
| 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 120@50mA,1V | 120@50mA,1V 120@50mA,1V | |
| 工作温度 | +150℃@(Tj) | ||
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | ||
| 功率(Pd) | 300mW | 300mW 300mW | |
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@500mA,50mA | ||
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V | 25V 25V | |
| 特征频率(fT) | 150MHz | ||
| 集电极电流(Ic) | 500mA | 500mA 500mA | |
| 晶体管类型 | PNP | PNP PNP | |