AT45DB041E-SHNHT-B和71V416S10YG 区别差异-选芯网

参数封装
AT45DB041E-SHNHT-B和71V416S10YG 区别差异
商品	AT45DB041E-SHNHT-B	71V416S10YG
型号	AT45DB041E-SHNHT-B	71V416S10YG
描述	AT45DB041E-SHNHT-B	71V416S10YG
数据手册	-	-
品牌	Dialog/Adesto	RENESAS(瑞萨)/IDT
分类	非易失性存储器(ROM)	静态随机存取存储器(SRAM)
封装	SOIC-8-208mil	SOJ-44
工作电压(Vcc)		3V~3.6V
存储容量	4Mbit	4Mbit