| DGD2181S8-13和DGD21814S14-13 区别差异 | |||
| 商品 | |||
|---|---|---|---|
| 型号 | DGD2181S8-13 | DGD21814S14-13 | |
| 描述 | 半桥 IGBT MOSFET 灌电流2.3A 拉电流1.9A | 半桥 IGBT MOSFET 灌电流2.3A 拉电流1.9A | |
| 数据手册 | - | - | |
| 品牌 | DIODES(美台) | DIODES(美台) | |
| 分类 | 栅极驱动IC | 栅极驱动IC | |
| 参数封装 | |||
| 封装 | SMD | SOIC-14 | |
| 峰值灌电流 | 2.3A | 2.3A | |
| 峰值拉电流 | 1.9A | 1.9A | |
| 电源电压 | 10V~20V | 10V~20V | |
| 驱动配置 | 半桥 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | MOSFET；IGBT | |