| EMD4T2R和UMC4N-7 区别差异 | |||
| 商品 | |||
|---|---|---|---|
| 型号 | EMD4T2R | UMC4N-7 | |
| 描述 | 1个NPN,1个PNP-预偏置 100mA 50V | 1个NPN,1个PNP-预偏置 100mA 50V | |
| 数据手册 | - | - | |
| 品牌 | ROHM(罗姆) | DIODES(美台) | |
| 分类 | 数字晶体管 | 数字晶体管 | |
| 参数封装 | |||
| 封装 | EMT-6 | SOT-353 | |
| 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 68@5mA,5V | 68@5mA,5V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA | 500nA | |
| 功率(Pd) | 150mW | 150mW | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | 100mA | |
| 晶体管类型 | 1个NPN,1个PNP-预偏置 | 1个NPN,1个PNP-预偏置 | |