MUN5214DW1T1G和SMUN5214DW1T1G 区别差异
商品
型号 MUN5214DW1T1G SMUN5214DW1T1G
描述 2个NPN-预偏置 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) 2个NPN-预偏置 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
数据手册 - -
品牌 onsemi(安森美) onsemi(安森美)
分类 数字晶体管 数字晶体管
参数封装
封装 SOT-363 SOT-363
功率(Pd) 250mW 250mW
集电极电流(Ic) 100mA 100mA
晶体管类型 2个NPN-预偏置 2个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo) 50V 50V
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