| MUN5113DW1T1G和MUN5232DW1T1G 区别差异 | |||
| 商品 | |||
|---|---|---|---|
| 型号 | MUN5113DW1T1G | MUN5232DW1T1G | |
| 描述 | 2个NPN-预偏置 100mA 50V 双 PNP 双极数字晶体管 (BRT) | 2个NPN-预偏置 100mA 50V 双 NPN 双极数字晶体管 (BRT) | |
| 数据手册 | - | - | |
| 品牌 | onsemi(安森美) | onsemi(安森美) | |
| 分类 | 数字晶体管 | 数字晶体管 | |
| 参数封装 | |||
| 封装 | SOT-363 | SOT-363 | |
| 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 15@5mA,10V | ||
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA | ||
| 功率(Pd) | 250mW | 250mW | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | 100mA | |
| 晶体管类型 | 2个NPN-预偏置 | 2个NPN-预偏置 | |