IPB65R190CFDA和TGSC2D1065DN 区别差异-选芯网

参数封装
IPB65R190CFDA和TGSC2D1065DN 区别差异
商品	IPB65R190CFDA	功率肖特基二极管
型号	IPB65R190CFDA	TGSC2D1065DN
描述	IPB65R190CFDA	功率肖特基二极管
数据手册	-	-
品牌	Infineon(英飞凌)	银河世纪
分类	场效应管(MOSFET)	肖特基二极管
封装	TO-263	TO-252
平均整流电流(Io)		10A
漏源电压(Vdss)	650V
商品标签	无铅	无铅
正向压降(Vf)		1.5V
直流反向耐压(Vr)		650V