| DGD2304S8-13和DGD2103MS8-13 区别差异 | |||
| 商品 | |||
|---|---|---|---|
| 型号 | DGD2304S8-13 | DGD2103MS8-13 | |
| 描述 | 半桥 IGBT MOSFET 灌电流600mA 拉电流290mA | 半桥 IGBT MOSFET 灌电流600mA 拉电流290mA | |
| 数据手册 | - | - | |
| 品牌 | DIODES(美台) | DIODES(美台) | |
| 分类 | 栅极驱动IC | 栅极驱动IC | |
| 参数封装 | |||
| 封装 | SMD | SOIC-8 | |
| 峰值灌电流 | 600mA | 600mA | |
| 峰值拉电流 | 290mA | 290mA | |
| 电源电压 | 10V~20V | 10V~20V | |
| 驱动配置 | 半桥 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | MOSFET；IGBT | |